l 单源供电

‐ 5.0V~70V

‐ 集成LDO（预驱12V、内核1.2V，数字IO口5V、模拟3V），低功耗最低电流10uA以下

l 高性能16位定点DSP内核

‐ 主频最高150MHz

‐ 哈佛(Harvard)总线结构

‐ 快速中断响应和处理

l 片内存储器资源

‐ 4K x 16位SARAM

‐ (256+256+32) x 16位DARAM

‐ 32K x 16位Flash

l 运算加速单元

‐ 除法、开方

‐ 反正切

‐ 帕克变换

‐ 32位乘加及移位

l 11个通用I/O引脚+6个数字输入

l 事件管理器EM1

‐ 4个16位定时/计数器

‐ 7路PWM输出（PWM1~6构成3组互补，PWM8独立）

‐ 可配置PWM周期内中断产生和ADC采样触发时刻

l 集成三相高、低侧半桥驱动电路

‐ 六路NMOS Pre-Driver

‐ 栅极驱动电路高侧最高浮动绝对电压达到70V

‐ 驱动能力IO+/IO-: +1.5A/-1.8A

l ADC

‐ 12位，转换速率1MSPS

‐ 11通道（含内部温度传感器通道）

‐ 通道排序器，可设置ADC采样通道序列

l 运算放大器

‐ 1个OP，可用于母线电流检测放大

‐ 2个PGA，可用于相电流检测放大

l 电压比较器

‐ 3个电压比较器，参考端共用，可用于BEMF比较检测

‐ 2个电压比较器，带参考电压（DAC产生），可用于保护

l 中断

‐ 29个由PIE设置的外设中断

l 数字延时滤波

‐ 3组独立配置延时滤波单元，分别对应外部中断、功率保护和CAP1/2/3

l 串行通讯外设

‐ SPI、SCI

l 时钟

‐ 10M片内振荡器

‐ PLL倍频系数1x~15x

l 支持WDT

l 支持4线制快速程序烧录

l 支持JTAG在线仿真

‐ 分析和断点功能

‐ 基于硬件的实时调试

l MSL湿敏等级：3

l 封装形式

‐ QFN48封装